دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان

بلوار استاد یوسف ثبوتی، پلاک 444

صندوق پستی 1159-45195 زنجان 66731-45137 ایران

دورنگار: 33155142 -024

تلفن: 33151 -024


طراحی و برنامه نويسی توسط مركز كامپيوتر دانشگاه تحصيلات تكميلي علوم پايه زنجان

خانه>دانشکده شیمی>
دانشکده شیمی
 
 

دفاعيه كارشناسي ارشد

الکتروترسیب فیلم نازک نیم رسانای نانوساختار نوع n و کاربرد آن در اکسایش فوتوالکتروشیمیایی آنیون سولفیت

شکوفه افشاری

استاد راهنما: محسن لشگری

دانشکده شیمی

تاریخ: ۱۳۹۶-۱۲-۱۲

زمان: ۱۴:۰۰

مکان: آمفی تئاتر ترکمان

خلاصه: از طریق الکتروترسیب آندی فیلم نازک آهن اکسید (هماتیت) بر روی بستر قلع اکسید آلائیده شده با فلوئور (FTO) یک فوتوالکترود نیم رسانای نانوساختار نوع n با کیفیت بالا ساخته شد و برای اکسایش فوتوالکتروشیمیایی سولفیت به سولفات مورد استفاده قرار گرفت. اثر دمای آنیله و افزایش کبالت بر عملکرد فوتوالکترود مورد مطالعه قرار گرفت. همچنین با استفاده از اندازه گیری های مات-شاتکی و فوتوجریان-ولتاژ، تراز انرژی نوار مسطح فوتوالکترودهای نیم رساناها تعیین شد. بررسی ها نشان داد تمامی فوتوالکترودهای ساخته شده در اینجا بعنوان نیم رسانای نوع n عمل می کنند. شکاف نواری نیم-رساناهای لایه-نازک به روش طیف سنجی فرابنفش-مرئی به کمک رابطه ی تاک تعیین شد. پاسخ فوتوالکتروشیمیایی فوتوالکترودهای ساخته شده حاکی از آن بود 550 درجه سانتیگراد، دمای بهینه برای آنیله کردن فیلم های الکتروترسیب شده است. سرانجام با استفاده از آنالیز یون-کروماتوگرافی محیط واکنش، توانایی فوتوالکترودها برای اکسایش سولفیت تحت تابش نور مرئی مورد مطالعه قرار گرفت و بیشترین میزان تولید محصول (فعالیت فوتوالکتروکاتالیستی) برای فوتوآند هماتیت اصلاح شده با کبالت بدست آمد.